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LED外延片襯底材料特點與選擇方法

發(fā)布日期:2019-04-03 09:47:30    來源:民族品牌網(wǎng)     瀏覽次數(shù):428    評論:0
【導(dǎo)讀】LED外延片襯底一般需要具備以下功能:1、結(jié)構(gòu)特性好,外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷
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LED外延片襯底一般需要具備以下功能:

1、結(jié)構(gòu)特性好,外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小

2、界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng)

3、化學(xué)穩(wěn)定性好,在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕

4、熱學(xué)性能好,包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小

5、導(dǎo)電性好,能制成上下結(jié)構(gòu)

6、光學(xué)性能好,制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小

7、機(jī)械性能好,器件容易加工,包括減薄、拋光和切割等

8、價格低廉。

9、大尺寸,一般要求直徑不小于2英吋。

10、容易得到規(guī)則形狀襯底(除非有其他特殊要求),與外延設(shè)備托盤孔相似的襯底形狀才不容易形成不規(guī)則渦流,以至于影響外延質(zhì)量。

11、在不影響外延質(zhì)量的前提下,襯底的可加工性盡量滿足后續(xù)芯片和封裝加工工藝要求。

襯底的選擇要同時滿足以上十一個方面是非常困難的。所以,目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多,但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種,即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。表2-4對五種用于氮化鎵生長的襯底材料性能的優(yōu)劣進(jìn)行了定性比較。

LED外延片的襯底材料考慮的因素:

1、襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配:外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低;

2、襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配:熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要,外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降,還會在器件工作過程中,由于發(fā)熱而造成器件的損壞;

3、襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配:襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)定性,在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕,不能因為與外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降;

4、材料制備的難易程度及成本的高低:考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要,襯底材料的制備要求簡潔,成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。

目前LED外延片襯底材料

當(dāng)前用于GaN基LED的襯底材料比較多,但是能用于商品化的襯底目前只有兩種,即藍(lán)寶石和碳化硅襯底。其它諸如GaN、Si、ZnO襯底還處于研發(fā)階段,離產(chǎn)業(yè)化還有一段距離。